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資料名：
巻： 64 号： 21 ページ： 2842-2844 発行年： 1994年05月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902153814282123
整理番号：94A0540254
エルビウムドープシリコン発光ダイオードからのλ=1.54μmにおける室温での鋭い線エレクトロルミネセンス
Room-temperature sharp line electroluminescence at λ=1.54μm from an erbium-doped, silicon light-emitting diode.
ZHENG B
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
MICHEL J
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
REN F Y G
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
KIMERLING L C
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
JACOBSON D C
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
POATE J M
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 64 号： 21 ページ： 2842-2844 発行年： 1994年05月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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