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著者 (6件)：
資料名：
巻： 173 号： 3 ページ： 287-291 発行年： 2001年01月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902153978852788
整理番号：01A0326526
ほう素及び窒素を注入したIn2O3薄膜の電気及び光学特性
Electrical and optical properties of boron and nitrogen implanted In2O3 thin films.
HANAMOTO K
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
SASASKI M
(Industrial Res. Center of SHIGA Prefecture, Shiga, JPN)
,
MIYATANI K
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
KAITO C
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
MIKI H
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NAKAYAMA Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 173 号： 3 ページ： 287-291 発行年： 2001年01月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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