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著者 (6件)：
資料名：
巻： 169 号： 4 ページ： 621-624 発行年： 1996年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902154006977935
整理番号：97A0125641
有機金属気相エピタクシーによるGaAs基板上でのInPの2段階成長
Two-step growth of InP on GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy.
TAKANO Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SASAKI T
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
NAGAKI Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
KUWAHARA K
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUKE S
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
IMAI T
(Meisei Univ., Ome, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 169 号： 4 ページ： 621-624 発行年： 1996年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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