文献
J-GLOBAL ID:200902154264587815
整理番号:00A0710580
モノメチルシランを使ったSiC/Siのガス源MBE
Gas-source MBE of SiC/Si using monomethylsilane.
著者 (3件):
NAKAZAWA H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUEMITSU M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ASAMI S
(Sendai National Coll. Technol., Sendai, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
369
号:
1/2
ページ:
269-272
発行年:
2000年07月03日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)