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著者 (2件)：
資料名：
ページ： 77-84 発行年： 1996年
JST資料番号： K19970144 ISBN： 0-7803-3095-1 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902154396201673
整理番号：97A0329900
GaN単結晶の成長とホモエピタキシャルMOCVD層の特性
Growth of GaN Single Crystals and Properties of Homoepitaxial MOCVD Layers.
BARANOWSKI J M
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Soklowska, POL)
,
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Soklowska, POL)
資料名：
Semiconducting and Insulating Materials, 1996
(Semiconducting and Insulating Materials, 1996)
ページ： 77-84 発行年： 1996年
JST資料番号： K19970144 ISBN： 0-7803-3095-1 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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