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著者 (6件)：
資料名：
巻： 18 号： 10 ページ： 483-485 発行年： 1997年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902154738482831
整理番号：97A0962765
ベース電流を制御する新しい横方向MOSゲート付きサイリスタ
A New Lateral MOS-Gated Thyristor with Controlling Base-Current.
SUGAWARA F
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi Prefecture, JPN)
,
AOKI K
(Origin Electric Co. Ltd., Tochigi Prefecture, JPN)
,
YAMAGUCHI H
(Origin Electric Co. Ltd., Tochigi Prefecture, JPN)
,
SASAKI K
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi Prefecture, JPN)
,
SASAKI T
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi Prefecture, JPN)
,
FUJISAKI H
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi Prefecture, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 18 号： 10 ページ： 483-485 発行年： 1997年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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