文献
J-GLOBAL ID:200902155127854136
整理番号:99A0369543
気体源分子ビームエピタクシーによって(0001)GaN基板上に成長させたGaN1-xPx層の微細構造
Microstructures of GaN1-xPx layers grown on (0001) GaN substrates by gas source molecular beam epitaxy.
著者 (6件):
SEONG T-Y
(Kwangju Inst. Sci. and Technol.(K-JIST), Kwangju, KOR)
,
BAE I-T
(Kwangju Inst. Sci. and Technol.(K-JIST), Kwangju, KOR)
,
CHOI C-J
(Kwangju Inst. Sci. and Technol.(K-JIST), Kwangju, KOR)
,
NOH D Y
(Kwangju Inst. Sci. and Technol.(K-JIST), Kwangju, KOR)
,
ZHAO Y
(Univ. California, California)
,
TU C W
(Univ. California, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
85
号:
6
ページ:
3192-3197
発行年:
1999年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)