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著者 (9件)：
資料名：
巻： 85 号： 6 ページ： 3222-3233 発行年： 1999年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902155143638702
整理番号：99A0369549
N及びGa面AlGaN/GaNヘテロ構造における自発分極並びに圧電分極電荷に起因する二次元電子ガス
Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures.
AMBACHER O
(Cornell Univ., New York)
,
SMART J
(Cornell Univ., New York)
,
SHEALY J R
(Cornell Univ., New York)
,
WEIMANN N G
(Cornell Univ., New York)
,
CHU K
(Cornell Univ., New York)
,
MURPHY K M
(Cornell Univ., New York)
,
SCHAFF W J
(Cornell Univ., New York)
,
DIMITROV R
(TU-Munich, Garching, DEU)
,
HILSENBECK J
(Ferdinand Braun Inst., Berlin, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 85 号： 6 ページ： 3222-3233 発行年： 1999年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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