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著者 (3件)：
資料名：
巻： 23 号： 12 ページ： 694-696 発行年： 2002年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902155373344015
整理番号：03A0159482
fTとfmaxが300GHzを超す薄いpseudomorphicベースのInP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Over 300 GHz fT and fmax InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors With a Thin Pseudomorphic Base.
IDA M
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
KURISHIMA K
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
WATANABE N
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 23 号： 12 ページ： 694-696 発行年： 2002年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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