文献
J-GLOBAL ID:200902155611824802
整理番号:00A0768001
けい素(001)上のエピタキシャル二けい化エルビウムナノ細線の自己集合成長
Self-assembled growth of epitaxial erbium disilicide nanowires on silicon(001).
著者 (5件):
CHEN Y
(Hewlett-Packard Lab., California)
,
OHLBERG D A A
(Hewlett-Packard Lab., California)
,
MEDEIROS-RIBEIRO G
(Hewlett-Packard Lab., California)
,
CHANG Y A
(Hewlett-Packard Lab., California)
,
WILLIAMS R S
(Hewlett-Packard Lab., California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
76
号:
26
ページ:
4004-4006
発行年:
2000年06月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)