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著者 (9件)：
資料名：
巻： 148 号： 2 ページ： 101-108 発行年： 2001年04月
JST資料番号： A0160B ISSN： 1350-2409 CODEN： ICDSE7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902155840033576
整理番号：01A0627466
電力応用用SiC半導体デバイスの最近の進歩と現状
Recent progress and current issues in SiC semiconductor devices for power applications.
JOHNSON C M
(Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR)
,
WRIGHT N G
(Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR)
,
UREN M J
(Defence Res. and Evaluation Agency, Worcestershire, GBR)
,
HILTON K P
(Defence Res. and Evaluation Agency, Worcestershire, GBR)
,
RAHIMO M
(Semelab, Leicestershire, GBR)
,
HINCHLEY D A
(Semelab, Leicestershire, GBR)
,
KNIGHTS A P
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
ORTOLLAND S
(Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR)
,
O’NEILL A G
(Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR)
資料名：
IEE Proceedings. Circuits, Devices & Systems
(IEE Proceedings. Circuits, Devices & Systems)
巻： 148 号： 2 ページ： 101-108 発行年： 2001年04月
JST資料番号： A0160B ISSN： 1350-2409 CODEN： ICDSE7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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