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著者 (5件)：
資料名：
巻： 79 号： 12 ページ： 721-730 発行年： 1996年12月
JST資料番号： L0196A ISSN： 0915-1907 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：200902156138207481
整理番号：97A0137472
Pd/a-Si:H積層膜における界面反応とシリサイドの形成機構
Interfacial Reaction and Silicide Formation in Pd/a-Si:H Layered Films.
本間和明
(東京電機大 工)
,
小池徹
(東京電機大 工)
,
安藤伸一
(東京電機大 工)
,
安達久美
(東京電機大 工)
,
本橋光也
(東京電機大 工)
資料名：
電子情報通信学会論文誌 C-2
(Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻： 79 号： 12 ページ： 721-730 発行年： 1996年12月
JST資料番号： L0196A ISSN： 0915-1907 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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