文献
J-GLOBAL ID:200902156517965539
整理番号:99A0616622
プロセス誘起ストレスのデバイス特性に及ぼす影響及びその縮小化デバイスの性能への影響
Influence of Process-Induced Stress on Device Characteristics and Its Impact on Scaled Device Performance.
著者 (5件):
SMEYS P
(Stanford Univ., Stanford, CA, USA)
,
GRIFFIN P B
(Stanford Univ., Stanford, CA, USA)
,
REK Z U
(Stanford Synchrotron Radiation Lab., Stanford, CA, USA)
,
DE WOLF I
(IMEC, Leuven, BEL)
,
SARASWAT K C
(Stanford Univ., Stanford, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
46
号:
6
ページ:
1245-1252
発行年:
1999年06月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)