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著者 (9件)：
資料名：
巻： 38 号： 4A ページ： L356-L359 発行年： 1999年04月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902157222568984
整理番号：99A0419825
水素化物気相エピタクシーによるタングステンマスクを用いたエピタキシャル横方向被覆成長GaNの光学的および結晶特性
Optical and Crystalline Properties of Epitaxial-Lateral-Overgrown-GaN Using Tungsten Mask by Hydride Vapor Phase Epitaxy.
SONE H
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
NAMBU S
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
KAWAGUCHI Y
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
YAMAGUCHI M
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
MIYAKE H
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
IYECHIKA Y
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 4A ページ： L356-L359 発行年： 1999年04月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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