文献
J-GLOBAL ID:200902157292215949
整理番号:96A0603853
スマートカットプロセスを用いた絶縁体上への炭化けい素の形成
Silicon carbide on insulator formation using the Smart Cut process.
著者 (5件):
DI CIOCCIO L
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
LE TIEC Y
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
LETERTRE F
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
JAUSSAUD C
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
BRUEL M
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
32
号:
12
ページ:
1144-1145
発行年:
1996年06月06日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)