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著者 (6件)：
資料名：
巻： 84 号： 2 ページ： 870-876 発行年： 1998年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902157767635816
整理番号：98A0729113
有機金属気相エピタクシーで成長させたアンドープGaN膜における深い中心とその空間分布
Deep centers and their spatial distribution in undoped GaN films grown by organometallic vapor phase epitaxy.
POLYAKOV A Y
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
,
SMIRNOV N B
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
GOVORKOV A V
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
SHIN M
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
,
SKOWRONSKI M
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
,
GREVE D W
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 84 号： 2 ページ： 870-876 発行年： 1998年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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