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資料名：
巻： 64 号： 3 ページ： 318-320 発行年： 1994年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902157878774688
整理番号：94A0167488
立方晶炭化けい素接触層を用いて作製した6H炭化けい素に対する低抵抗率(~10-5Ωcm2)Ohm接触
Low resistivity (~10-5Ωcm2) ohmic contacts to 6H silicon carbide fabricated using cubic silicon carbide contact layer.
DMITRIEV V A
(Howard Univ., Washington, D.C.)
,
IRVINE K
(Howard Univ., Washington, D.C.)
,
SPENCER M
(Howard Univ., Washington, D.C.)
,
KELNER G
(Naval Research Lab., Washington, D.C.)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 64 号： 3 ページ： 318-320 発行年： 1994年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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