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著者 (7件)：
資料名：
巻： 41 号： 11B ページ： 6820-6824 発行年： 2002年11月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902158249213084
整理番号：03A0050129
化学溶液堆積法によるM3+置換,及び,M3+/V5+同時置換したチタン酸ビスマス薄膜の作製
Fabrication of M3+-Substituted and M3+/V5+-Cosubstituted Bismuth Titanate Thin Films [M=lanthanoid] by Chemical Solution Deposition Technique.
UCHIDA H
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
YOSHIKAWA H
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
OKADA I
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
MATSUDA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
IIJIMA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
WATANABE T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
FUNAKUBO H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 11B ページ： 6820-6824 発行年： 2002年11月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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