文献
J-GLOBAL ID:200902158356737819
整理番号:98A0695944
Si単一電子トランジスタへの寄生金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの効果の抑制
Suppression of Effects of Parasitic Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Single-Electron Transistors.
著者 (5件):
FUJIWARA A
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
NAMATSU H
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KURIHARA K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
MURASE K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
37
号:
6A
ページ:
3257-3263
発行年:
1998年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)