文献
J-GLOBAL ID:200902158494311296
整理番号:97A0326000
完全性の高いSiC薄膜 X線二結晶回折法及びX線二結晶トポグラフィーによる研究
Highly perfect thin films of SiC: X-ray double crystal diffractometry and X-ray double crystal topographic study.
著者 (4件):
CHAUDHURI J
(Wichita State Univ., KS, USA)
,
CHENG X
(Wichita State Univ., KS, USA)
,
YUAN C
(Emcore Corp., NJ, USA)
,
STECKL A J
(Univ. Cincinnati, OH, USA)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
292
号:
1/2
ページ:
1-6
発行年:
1997年01月05日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)