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著者 (6件)：
資料名：
巻： 79 号： 10 ページ： 1909-1912 発行年： 1997年09月08日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902158709050200
整理番号：97A0913574
ホイスラー型Fe2VAl化合物の電気抵抗率の半導体型の挙動
Semiconductorlike Behavior of Electrical Resistivity in Heusler-type Fe2VAl Compound.
NISHINO Y
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
KATO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ASANO S
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SODA K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HAYASAKI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIZUTANI U
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 79 号： 10 ページ： 1909-1912 発行年： 1997年09月08日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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