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著者 (5件)：
資料名：
巻： 118 号： 1/4 ページ： 530-532 発行年： 1996年09月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902159038526198
整理番号：96A1010090
Si(111)表面上でのPb薄膜成長の初期段階のTOF-ICISSによる研究
The initial stage of Pb thin film growth on Si(111) surface studied by TOF-ICISS.
TANAKA Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORISHITA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
RYU J-T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KATAYAMA I
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
OURA K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 118 号： 1/4 ページ： 530-532 発行年： 1996年09月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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