文献
J-GLOBAL ID:200902159127081094
整理番号:96A0268950
シリコンオンインシュレータ材料技術への水素イオンビームの応用
Application of hydrogen ion beams to Silicon On Insulator material technology.
著者 (1件):
BRUEL M
(CENG, Grenoble, FRA)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
108
号:
3
ページ:
313-319
発行年:
1996年02月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)