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著者 (3件)：
資料名：
巻： 41 号： 4B ページ： 2578-2582 発行年： 2002年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902159741570522
整理番号：02A0501689
原子間力顕微鏡ナノ酸化プロセスで作製した単一電子トランジスタの室温のCoulombダイヤモンド特性
Room Temperature Coulomb Diamond Characteristic of Single Electron Transistor Made by AFM Nano-Oxidation Process.
GOTOH Y
(Tsukuba Univ., Ibaraki, JPN)
,
MATSUMOTO K
(Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T
(Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 4B ページ： 2578-2582 発行年： 2002年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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