文献
J-GLOBAL ID:200902160053359115
整理番号:95A0588113
Si(100)上のGeの成長中の島状構造形成 光ルミネセンス分光法を用いた研究
Island formation during growth of Ge on Si(100): A study using photoluminescence spectroscopy.
著者 (4件):
SUNAMURA H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
USAMI N
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIRAKI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
FUKATSU S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
66
号:
22
ページ:
3024-3026
発行年:
1995年05月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)