文献
J-GLOBAL ID:200902161411847689
整理番号:99A0991398
バルクGaN結晶の核形成サイトと成長方位の制御
Control of Nucleation Site and Growth Orientation of Bulk GaN Crystals.
著者 (6件):
YANO M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OKAMOTO M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAP Y K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YOSHIMURA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SASAKI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
38
号:
10A
ページ:
L1121-L1123
発行年:
1999年10月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)