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J-GLOBAL ID：200902161843672812 整理番号：99A0891134

冷却したSi(111)表面におけるDAS構造の成長パターンのモンテカルロシミュレーション

Monte-Carlo simulation on growth patterns of DAS structure on quenched Si(111) surface.

著者 (4件)：

KATO T

(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)

UCHIBE M

(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)

TOCHIHARA H

(Kyushu Univ., Kasuga, JPN)

SHIMADA W

(Kyushu Univ., Kasuga, JPN)

資料名：

Surface Science (Surface Science)

巻： 433/435 ページ： 745-750 発行年： 1999年08月02日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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