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文献
J-GLOBAL ID:200902162399147214   整理番号:96A0347456

ほう素イオン注入エッジ終端を持つ高電圧4H-SiC Schottky整流器の優れた逆阻止特性

Excellent Reverse Blocking Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers with Boron-Implanted Edge Termination.
著者 (3件):
ITOH A
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名:
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

巻: 17  号:ページ: 139-141  発行年: 1996年03月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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