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著者 (8件)：
資料名：
巻： 35 号： Supplementary (July 31) ページ： S84-S87 発行年： 1999年07月31日
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 韓国 (KOR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902163441695134
整理番号：99A0894668
金属汚染Siダイオードへの放射線効果
Radiation Effect on Metal-Contaminated Si Diodes.
HAKATA T
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
OHYAMA H
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
KOBAYASHI K
(Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN)
,
SIMOEN E
(IMEC(Interuniv. Micro Electronics Center), Leuven, BEL)
,
CLAEYS C
(IMEC(Interuniv. Micro Electronics Center), Leuven, BEL)
,
TAKAMI Y
(Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN)
,
SUNAGA H
(Takasaki JAERI(Japan Atomic Energy Res. Inst.), Gunma, JPN)
,
MIYAHARA K
(Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
資料名：
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻： 35 号： Supplementary (July 31) ページ： S84-S87 発行年： 1999年07月31日
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 韓国 (KOR) 言語： 英語 (EN)
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