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著者 (4件)：
資料名：
巻： 37 号： 2A ページ： L151-L153 発行年： 1998年02月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902163650149570
整理番号：98A0389314
Si基板上の強誘電体(Ba,Sr)TiO3キャパシタ用のTi1-xAlxNバッファ層のエピタキシャル成長
Epitaxial Growth of Ti1-xAlxN Buffer Layer for a Ferroelectric (Ba, Sr)TiO3 Capacitor on Si Substrate.
YANASE N
(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
,
SANO K
(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
,
ABE K
(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
,
KAWAKUBO T
(Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 2A ページ： L151-L153 発行年： 1998年02月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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