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文献
J-GLOBAL ID:200902163732647102   整理番号:00A0767973

プラズマ増強化学蒸着によって成長させたSi0.17Ge0.83チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの高い正孔移動度

High hole mobility in Si0.17Ge0.83 channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
著者 (6件):
HOECK G
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
KOHN E
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
ROSENBLAD C
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
VON KAENEL H
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
HERZOG H-J
(Daimler Chrysler, Ulm, DEU)
KOENIG U
(Daimler Chrysler, Ulm, DEU)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 76  号: 26  ページ: 3920-3922  発行年: 2000年06月26日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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