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著者 (4件)：
資料名：
巻： 34 号： 4A ページ： 1728-1735 発行年： 1995年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902163950946880
整理番号：95A0459725
SiO2面につけた薄い単結晶Siの真空での熱凝集
Thermal Agglomeration of Thin Single Crystal Si on SiO2 in Vacuum.
ONO Y
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
NAGASE M
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
TABE M
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
TAKAHASHI Y
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34 号： 4A ページ： 1728-1735 発行年： 1995年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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