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著者 (4件)：
資料名：
巻： 69 号： 14 ページ： 2080-2082 発行年： 1996年09月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902164023752691
整理番号：96A0898769
分子ビームエピタクシーで成長させたInAs/(Al,Ga)Sb量子井戸のモルホロジーと輸送特性に及ぼすバッファ層の影響
Influence of the buffer layers on the morphology and the transport properties in InAs/(Al,Ga)Sb quantum wells grown by molecular beam epitaxy.
BLANK H-R
(Univ. California, California)
,
THOMAS M
(Univ. California, California)
,
WONG K C
(Univ. California, California)
,
KROEMER H
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 14 ページ： 2080-2082 発行年： 1996年09月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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