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著者 (4件)：
資料名：
巻： 41 号： 1A/B ページ： L28-L30 発行年： 2002年01月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902164204395513
整理番号：02A0191106
プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるAlNエピタキシャル層の高品質成長
High-Quality Growth of AlN Epitaxial Layer by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy.
JEGANATHAN K
(National Inst. Advanced Industrial. Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KITAMURA T
(National Inst. Advanced Industrial. Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU M
(National Inst. Advanced Industrial. Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial. Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 1A/B ページ： L28-L30 発行年： 2002年01月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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