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著者 (9件)：
資料名：
巻： 164 号： 1/4 ページ： 159-166 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902164414166053
整理番号：96A0708517
アンモニアとプラズマ生成窒素ラジカルによるガス原料分子ビームエピタクシーによるGaNの成長
Growth of GaN by gas-source molecular beam epitaxy by ammonia and by plasma generated nitrogen radicals.
WONG W S
(UCSD, California, USA)
,
LI N Y
(UCSD, California, USA)
,
DONG H K
(UCSD, California, USA)
,
DENG F
(UCSD, California, USA)
,
LAU S S
(UCSD, California, USA)
,
TU C W
(UCSD, California, USA)
,
HAYS J
(Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA)
,
BIDNYK S
(Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA)
,
SONG J J
(Oklahoma State Univ., Oklahoma, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 164 号： 1/4 ページ： 159-166 発行年： 1996年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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