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文献
J-GLOBAL ID:200902164442140094   整理番号:99A0503198

窒素添加CZ-Si結晶欠陥制御 (その1) Arアニールによる欠陥消滅と高BMD密度の実現

著者 (7件):
大橋渡
(新日本製鉄 先端技研)
碇敦
(新日本製鉄 先端技研)
太田泰光
(新日本製鉄 先端技研)
立川昭義
(新日本製鉄 先端技研)
出合博之
(新日本製鉄 先端技研)
横田秀樹
(新日本製鉄 先端技研)
星野泰三
(NSC Electron)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻: 46th  号:ページ: 468  発行年: 1999年03月28日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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