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著者 (5件)：
資料名：
巻： 189/190 ページ： 83-86 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902165103290970
整理番号：98A0793822
MOCVD選択エピタキシーによるInGaN発光の空間的な制御
Spatial control of InGaN luminescence by MOCVD selective epitaxy.
KAPOLNEK D
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER S
(Univ. California, CA, USA)
,
UNDERWOOD R D
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 83-86 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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