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資料名：
巻： 53 号： 3/4 ページ： 459-464 発行年： 1999年06月
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902165365689858
整理番号：99A0453435
シリコン表面上の高エネルギーイオン蒸着研究のための低エネルギーイオンビームシステム
A low-energy ion beam system for studying energetic ion deposition on Silicon surfaces.
SHOJI F
(Kyushu Kyoritsu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 53 号： 3/4 ページ： 459-464 発行年： 1999年06月
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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