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著者 (9件)：
資料名：
巻： 38 号： 12A ページ： 6846-6850 発行年： 1999年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902165501519660
整理番号：00A0144925
シンクロトロン放射アブレーションにより室温で作製した低電気抵抗で高透過率の酸化インジウムすず薄膜
Low-Resistivity Highly Transparent Indium-Tin-Oxide Thin Films Prepared at Room Temperature by Synchrotron Radiation Ablation.
AKAGI Y
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
HANAMOTO K
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
SUZUKI H
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
KATOH T
(Sumitomo Heavy Ind. Ltd., Tanashi, JPN)
,
SASAKI M
(Industrial Res. Center of Shiga Prefecture, Shiga)
,
IMAI S
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
TSUDAGAWA M
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
NAKAYAMA Y
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
MIKI H
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 12A ページ： 6846-6850 発行年： 1999年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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