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文献
J-GLOBAL ID:200902165988937208   整理番号:99A0263774

AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器

High Performance V-Band Flip-Chip Gunn Diode Oscillator Fabricated on AlN Substrate.
著者 (5件):
中川敦
(新日本無線)
渡辺健一
(新日本無線)
出口忠義
(新日本無線)
小池誠二
(新日本無線)
木村親夫
(新日本無線)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 98  号: 518(ED98 197-212)  ページ: 91-97  発行年: 1999年01月21日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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