Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (8件)：
資料名：
巻： 41 号： 3B ページ： L311-L313 発行年： 2002年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902166185513138
整理番号：02A0355800
連続波レーザ横方向結晶化を利用した非アルカリガラス上の高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタ
High-Performance Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors on Non-Alkali Glass Produced Using Continuous Wave Laser Lateral Crystallization.
HARA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKEUCHI F
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKEI M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SUGA K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YOSHINO K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
CHIDA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SANO Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SASAKI N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 3B ページ： L311-L313 発行年： 2002年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。