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資料名：
巻： 81 号： 12 ページ： 2193-2195 発行年： 2002年09月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902166410356764
整理番号：02A0776756
ハイドライド気相エピタクシーによる単結晶GaNナノロッドの成長および特性
Growth and characterization of single-crystal GaN nanorods by hydride vapor phase epitaxy.
KIM H-M
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KIM D S
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KIM D Y
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KANG T W
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
CHO Y-H
(Chungbuk National Univ., Cheongju, KOR)
,
CHUNG K S
(Kyunghee Univ., Yongin, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 12 ページ： 2193-2195 発行年： 2002年09月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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