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著者 (4件)：
資料名：
巻： 36 号： 6B ページ： 4143-4146 発行年： 1997年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902166444804057
整理番号：97A0775374
単一電子素子の高密度集積に使う非対称トンネル障壁の優位性
Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High-Density Integration of Single Electron Devices.
MATSUMOTO Y
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
HANAJIRI T
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
TOYABE T
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
,
SUGANO T
(Toyo Univ., Saitama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 6B ページ： 4143-4146 発行年： 1997年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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