文献
J-GLOBAL ID:200902166575005370
整理番号:00A0147191
直接トンネリング超薄ゲート酸化膜のバイアス温度不安定性がMOSFETのスケーリングにおよぼす影響
The impact of bias temperature instability for direct-tunneling ultra-thin gate oxide on MOSFET scaling.
著者 (6件):
KIMIZUKA N
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMAMOTO T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
MOGAMI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMAGUCHI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
IMAI K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
HORIUCHI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
1999
ページ:
73-74
発行年:
1999年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)