文献
J-GLOBAL ID:200902166694738203
整理番号:96A0503607
帯域閉込め配置を持つ反応性電子ビーム蒸着で作製したすずをドープした酸化インジウム膜の構造と性質
Structure and properties of tin-doped indium oxide thin films prepared by reactive electron-beam evaporation with a zone-confining arrangement.
著者 (1件):
RAUF I A
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
79
号:
8 Pt 1
ページ:
4057-4065
発行年:
1996年04月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)