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著者 (6件)：
資料名：
巻： 38 号： 11B ページ： L1296-L1298 発行年： 1999年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902166968193276
整理番号：00A0057095
有機金属気相エピタクシーによって成長させた歪制御AlN薄層における結晶品質の残留歪依存性
Dependence of Crystal Quality on Residual Strain in Strain-Controlled Thin AlN Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
ISHIHARA Y
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO J
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KURIMOTO M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
TAKANO T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
HONDA T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KAWANISHI H
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 11B ページ： L1296-L1298 発行年： 1999年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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