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著者 (9件)：
資料名：
巻： 13 号： 10 ページ： 1130-1133 発行年： 1998年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902167068389988
整理番号：98A0995023
分子ビームエピタクシーによりSi(111)上に成長させたGaN中の浅いBeアクセプタを示す実験証拠
Experimental evidence for a Be shallow acceptor in GaN grown on Si(111) by molecular beam epitaxy.
S<span style=text-decoration:overline> ́A</span>NCHEZ F J
(UPM, Madrid, ESP)
,
CALLE F
(UPM, Madrid, ESP)
,
S<span style=text-decoration:overline> ́A</span>NCHEZ-GARC<span style=text-decoration:overline> ́I</span>A M A
(UPM, Madrid, ESP)
,
CALLEJA E
(UPM, Madrid, ESP)
,
MUNOZ E
(UPM, Madrid, ESP)
,
MOLLOY C H
(Univ. Wales Coll. Cardiff, Cardiff, GBR)
,
SOMERFORD D J
(Univ. Wales Coll. Cardiff, Cardiff, GBR)
,
SERRANO J J
(UPM, Madrid, ESP)
,
BLANCO J M
(UPM, Madrid, ESP)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 13 号： 10 ページ： 1130-1133 発行年： 1998年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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