文献
J-GLOBAL ID:200902167428301270
整理番号:95A0141445
0.2μm電子ビームリソグラフィーのための高速単層レジスト過程及びエネルギー依存アスペクト比
High-speed single-layer-resist process and energy-dependent aspect ratios for 0.2-μm electron-beam lithography.
著者 (7件):
MURAI F
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO J
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAGUCHI H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
OKAZAKI S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SATO K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
HASEGAWA K
(Hitachi ULSI Engineering Corp., Tokyo, JPN)
,
HAYAKAWA H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
12
号:
6
ページ:
3874-3878
発行年:
1994年11月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)