文献
J-GLOBAL ID:200902167498721552
整理番号:97A0380029
Si1-xGexソース構造を使用したバンドギャップエンジニアリング法によるSOI MOSFETにおける浮遊体効果の抑制
Suppression of the Floating-Body Effect in SOI MOSFET’s by the Bandgap Engineering Method Using a Si1-xGex Source Structure.
著者 (9件):
YOSHIMI M
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
TERAUCHI M
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
NISHIYAMA A
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
ARISUMI O
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
MURAKOSHI A
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
MATSUZAWA K
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
SHIGYO N
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
TAKENO S
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
TANGO H
(Toshiba Corp., Kawasaki)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
44
号:
3
ページ:
423-430
発行年:
1997年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)