文献
J-GLOBAL ID:200902167984536660
整理番号:98A0247947
Gビットのダイナミックランダムアクセスメモリの0.15μm電子ビームによる直接描画
0.15μm Electron Beam Direct Writing for Gbit Dynamic Random Access Memory Fabrication.
著者 (9件):
NAKAJIMA K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMASHITA H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOJIMA Y
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
HIRASAWA S
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TAMURA T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMADA Y
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TOKUNAGA K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
EMA T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
NOZUE H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
12B
ページ:
7535-7540
発行年:
1997年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)